Продукція > ONSEMI > NVLJWS013N03CLTAG

NVLJWS013N03CLTAG onsemi


nvljws013n03cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.00 грн
6000+17.61 грн
15000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWS013N03CLTAG onsemi

Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVLJWS013N03CLTAG за ціною від 18.14 грн до 52.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWS013N03CLTAG onsemi nvljws013n03cl-d.pdf Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+44.72 грн
25+41.99 грн
100+29.89 грн
250+25.43 грн
500+24.16 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAG nvljws013n03cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.22 грн
10+44.72 грн
25+41.99 грн
100+29.89 грн
250+25.43 грн
500+24.16 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.