Продукція > ONSEMI > NVLJWS013N03CLTAG

NVLJWS013N03CLTAG onsemi

nvljws013n03cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.06 грн
6000+17.67 грн
15000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWS013N03CLTAG onsemi

Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWS013N03CLTAG за ціною від 18.20 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWS013N03CLTAG Виробник : onsemi nvljws013n03cl-d.pdf Description: T6 30V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+44.88 грн
25+42.14 грн
100+29.99 грн
250+25.52 грн
500+24.24 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAG Виробник : ON Semiconductor nvljws013n03cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAG Виробник : ONSEMI nvljws013n03cl-d.pdf NVLJWS013N03CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS013N03CLTAG NVLJWS013N03CLTAG Виробник : onsemi NVLJWS013N03CL_D-3150629.pdf MOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.