Продукція > ONSEMI > NVLJWS022N06CLTAG
NVLJWS022N06CLTAG

NVLJWS022N06CLTAG onsemi

nvljws022n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.44 грн
6000+19.02 грн
9000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWS022N06CLTAG onsemi

Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWS022N06CLTAG за ціною від 17.72 грн до 91.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWS022N06CLTAG NVLJWS022N06CLTAG Виробник : onsemi nvljws022n06cl-d.pdf Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+53.62 грн
25+44.67 грн
100+32.40 грн
250+27.72 грн
500+24.84 грн
1000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAG Виробник : onsemi NVLJWS022N06CL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel uCool Power MOSFET 60 V, 25 A, 21 mohm
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+48.30 грн
100+27.80 грн
500+24.90 грн
1000+22.22 грн
3000+18.71 грн
6000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAG Виробник : ONSEMI nvljws022n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Case: WDFNW6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 14W
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.