Продукція > ONSEMI > NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G onsemi


ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMD4N03R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMD4N03R2G за ціною від 30.87 грн до 112.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMD4N03R2G NVMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.53 грн
10+77.27 грн
100+60.11 грн
500+47.81 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G NVMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.65 грн
10+78.06 грн
100+47.86 грн
500+39.19 грн
1000+36.30 грн
2500+32.28 грн
5000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.53 грн
10+77.27 грн
100+60.11 грн
500+47.81 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.65 грн
10+78.06 грн
100+47.86 грн
500+39.19 грн
1000+36.30 грн
2500+32.28 грн
5000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.