Продукція > ONSEMI > NVMD4N03R2G
NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G onsemi

ntmd4n03r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMD4N03R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NVMD4N03R2G за ціною від 33.12 грн до 120.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMD4N03R2G NVMD4N03R2G Виробник : onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.61 грн
10+79.71 грн
100+62.00 грн
500+49.32 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G NVMD4N03R2G Виробник : onsemi ntmd4n03r2-d.pdf MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.86 грн
10+83.74 грн
100+51.34 грн
500+42.04 грн
1000+38.94 грн
2500+34.63 грн
5000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G Виробник : ONSEMI ntmd4n03r2-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2G Виробник : ONSEMI ntmd4n03r2-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.