NVMFD020N10MCLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 75.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD020N10MCLT1G ON Semiconductor
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD020N10MCLT1G за ціною від 57.12 грн до 213.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFD020N10MCLT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFD020N10MCLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFD020N10MCLT1G | onsemi |
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFD020N10MCLT1G | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NVMFD020N10MCLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 75.69 грн |
| NVMFD020N10MCLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 76.72 грн |
| NVMFD020N10MCLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.23 грн |
| 10+ | 123.46 грн |
| 50+ | 94.23 грн |
| 100+ | 79.57 грн |
| 500+ | 64.03 грн |
| NVMFD020N10MCLT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.47 грн |
| 10+ | 135.46 грн |
| 100+ | 80.75 грн |
| 500+ | 65.63 грн |
| 1000+ | 61.19 грн |
| 1500+ | 59.04 грн |
| 3000+ | 57.12 грн |