Продукція > ONSEMI > NVMFD027N10MCLT1G
NVMFD027N10MCLT1G

NVMFD027N10MCLT1G onsemi

nvmfd027n10mcl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD027N10MCLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMFD027N10MCLT1G за ціною від 34.60 грн до 147.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCLT1G ONSEMI nvmfd027n10mcl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.95 грн
500+42.13 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCLT1G onsemi NVMFD027N10MCL-D.PDF MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.22 грн
10+85.73 грн
100+52.53 грн
500+41.77 грн
1000+41.00 грн
1500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCLT1G ONSEMI nvmfd027n10mcl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.04 грн
10+87.79 грн
100+61.95 грн
500+42.13 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCLT1G onsemi nvmfd027n10mcl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+91.12 грн
100+61.60 грн
500+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G nvmfd027n10mcl-d.pdf
NVMFD027N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.95 грн
500+42.13 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCL-D.PDF
NVMFD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.22 грн
10+85.73 грн
100+52.53 грн
500+41.77 грн
1000+41.00 грн
1500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G nvmfd027n10mcl-d.pdf
NVMFD027N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+114.04 грн
10+87.79 грн
100+61.95 грн
500+42.13 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1G nvmfd027n10mcl-d.pdf
NVMFD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.95 грн
10+91.12 грн
100+61.60 грн
500+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.