Продукція > ONSEMI > NVMFD030N06CT1G
NVMFD030N06CT1G

NVMFD030N06CT1G onsemi


nvmfd030n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+62.29 грн
3000+55.93 грн
4500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD030N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD030N06CT1G за ціною від 54.26 грн до 209.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD030N06CT1G NVMFD030N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd030n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.17 грн
10+123.33 грн
100+84.58 грн
500+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1G NVMFD030N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd030n06c-d.pdf MOSFETs Power, Dual N-Channel, DUAL SO-8FL 60 V, 29.7 mohm, 19 A SO-8FL Dual (Pb-Free)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.53 грн
10+132.77 грн
100+79.23 грн
500+63.84 грн
1000+56.22 грн
1500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.