Продукція > ONSEMI > NVMFD030N06CT1G
NVMFD030N06CT1G

NVMFD030N06CT1G onsemi


nvmfd030n06c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+55.84 грн
3000+50.15 грн
4500+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD030N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD030N06CT1G за ціною від 52.64 грн до 184.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD030N06CT1G NVMFD030N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd030n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.06 грн
10+110.58 грн
100+75.83 грн
500+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1G NVMFD030N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd030n06c-d.pdf MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.65 грн
10+117.07 грн
100+70.42 грн
500+56.34 грн
1000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.