
NVMFD040N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 44.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD040N10MCLT1G onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD040N10MCLT1G за ціною від 39.77 грн до 147.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFD040N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFD040N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|