NVMFD5853NWFT1G ON Semiconductor


nvmfd5853n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5853NWFT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual).

Інші пропозиції NVMFD5853NWFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFD5853NWFT1G NVMFD5853NWFT1G Виробник : onsemi nvmfd5853n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NWFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFD5853N-D-1286907.pdf MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
товар відсутній