Продукція > ONSEMI > NVMFD5C446NLT1G
NVMFD5C446NLT1G

NVMFD5C446NLT1G onsemi

nvmfd5c446nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+147.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C446NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFD5C446NLT1G за ціною від 146.91 грн до 313.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G Виробник : ONSEMI 2571962.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.28 грн
500+174.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G Виробник : onsemi nvmfd5c446nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.44 грн
10+200.21 грн
100+167.18 грн
500+150.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G Виробник : onsemi nvmfd5c446nl-d.pdf MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.65 грн
10+228.78 грн
100+154.56 грн
500+146.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G Виробник : ONSEMI 2571962.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.29 грн
10+235.18 грн
100+198.28 грн
500+174.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd5c446nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfd5c446nl-d.pdf NVMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.