
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 1197-1206 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.85 грн |
10+ | 357.01 грн |
100+ | 253.93 грн |
500+ | 218.70 грн |
1000+ | 182.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C446NLWFT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD5C446NLWFT1G за ціною від 153.48 грн до 423.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFD5C446NLWFT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
NVMFD5C446NLWFT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
NVMFD5C446NLWFT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |