NVMFD5C466NLWFT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 75.24 грн |
| 3000+ | 70.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C466NLWFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVMFD5C466NLWFT1G за ціною від 69.08 грн до 244.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLWFT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 52A; Idm: 198A; 19W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 52A Pulsed drain current: 198A Power dissipation: 19W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |