Продукція > ONSEMI > NVMFD5C466NLWFT1G
NVMFD5C466NLWFT1G

NVMFD5C466NLWFT1G onsemi


nvmfd5c466nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+75.38 грн
3000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C466NLWFT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFD5C466NLWFT1G за ціною від 69.20 грн до 245.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G ONSEMI 2571964.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.12 грн
500+80.00 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor nvmfd5c466nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.66 грн
10+114.28 грн
25+113.13 грн
100+108.46 грн
250+99.85 грн
500+95.30 грн
1000+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor nvmfd5c466nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.66 грн
124+114.28 грн
125+113.13 грн
126+108.46 грн
250+99.85 грн
500+95.30 грн
1000+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G onsemi nvmfd5c466nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
10+144.30 грн
100+100.44 грн
500+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G ONSEMI 2571964.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.58 грн
10+156.71 грн
100+109.12 грн
500+80.00 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G onsemi B0DE17EB9B38DBA63B3A499BC96555F071CDB348207E5D80AFE6082869E22C9D.pdf MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.32 грн
10+156.90 грн
100+97.75 грн
500+82.98 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor nvmfd5c466nl-d.pdf
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G 2571964.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.12 грн
500+80.00 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G nvmfd5c466nl-d.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.66 грн
10+114.28 грн
25+113.13 грн
100+108.46 грн
250+99.85 грн
500+95.30 грн
1000+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G nvmfd5c466nl-d.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+122.66 грн
124+114.28 грн
125+113.13 грн
126+108.46 грн
250+99.85 грн
500+95.30 грн
1000+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G nvmfd5c466nl-d.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.23 грн
10+144.30 грн
100+100.44 грн
500+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G 2571964.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.58 грн
10+156.71 грн
100+109.12 грн
500+80.00 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G B0DE17EB9B38DBA63B3A499BC96555F071CDB348207E5D80AFE6082869E22C9D.pdf
NVMFD5C466NLWFT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.32 грн
10+156.90 грн
100+97.75 грн
500+82.98 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1G nvmfd5c466nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.