
NVMFD5C470NLT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 55.02 грн |
3000+ | 49.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C470NLT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD5C470NLT1G за ціною від 52.91 грн до 177.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 948-957 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
NVMFD5C470NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |