| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.40 грн |
| 10+ | 130.50 грн |
| 100+ | 77.53 грн |
| 500+ | 61.25 грн |
| 1000+ | 55.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C470NT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD5C470NT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFD5C470NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFD5C470NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


