NVMFD5C470NWFT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.33 грн |
| 10+ | 104.98 грн |
| 100+ | 71.80 грн |
| 500+ | 54.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C470NWFT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD5C470NWFT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD5C470NWFT1G | onsemi |
MOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFD5C470NWFT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
MOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)