
NVMFD5C650NLT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 411.24 грн |
10+ | 264.21 грн |
100+ | 189.62 грн |
500+ | 148.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD5C650NLT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD5C650NLT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFD5C650NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NVMFD5C650NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2633 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NVMFD5C650NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NVMFD5C650NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NVMFD5C650NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |