Продукція > ONSEMI > NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G

NVMFD5C650NLWFT1G onsemi

nvmfd5c650nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+151.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C650NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD5C650NLWFT1G за ціною від 167.87 грн до 394.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFD5C650NLWFT1G NVMFD5C650NLWFT1G onsemi nvmfd5c650nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.35 грн
10+253.64 грн
100+182.38 грн
500+167.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1G NVMFD5C650NLWFT1G onsemi NVMFD5C650NL_D-2319406.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1G nvmfd5c650nl-d.pdf
NVMFD5C650NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+394.35 грн
10+253.64 грн
100+182.38 грн
500+167.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1G NVMFD5C650NL_D-2319406.pdf
NVMFD5C650NLWFT1G
Виробник: onsemi
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.