Продукція > ONSEMI > NVMFD5C668NLT1G
NVMFD5C668NLT1G

NVMFD5C668NLT1G onsemi

nvmfd5c668nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C668NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції NVMFD5C668NLT1G за ціною від 79.27 грн до 309.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C668NLT1G onsemi nvmfd5c668nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.34 грн
10+196.18 грн
100+138.35 грн
500+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C668NLT1G ON Semiconductor NVMFD5C668NL_D-2319775.pdf MOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C668NLT1G onsemi nvmfd5c668nl-d.pdf MOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C668NLT1G ONSEMI 4073525.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G ON Semiconductor nvmfd5c668nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.99 грн
10+110.04 грн
25+107.55 грн
100+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G ON Semiconductor nvmfd5c668nl-d.pdf
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G nvmfd5c668nl-d.pdf
NVMFD5C668NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.34 грн
10+196.18 грн
100+138.35 грн
500+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C668NL_D-2319775.pdf
NVMFD5C668NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G nvmfd5c668nl-d.pdf
NVMFD5C668NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G 4073525.pdf
NVMFD5C668NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G nvmfd5c668nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+125.99 грн
10+110.04 грн
25+107.55 грн
100+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1G nvmfd5c668nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.