Технічний опис NVMFD5C668NLWFT1G ONN
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8, Mounting: SMD, Case: DFN8, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 454A, Power dissipation: 29W, Gate charge: 21.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ.
Інші пропозиції NVMFD5C668NLWFT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFD5C668NLWFT1G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 60V S08FL DUAL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NVMFD5C668NLWFT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8 Mounting: SMD Case: DFN8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 454A Power dissipation: 29W Gate charge: 21.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 68A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFD5C668NLWFT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NVMFD5C668NLWFT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



