Продукція > ONSEMI > NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G

NVMFD5C672NLT1G ONSEMI

2571967.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C672NLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 45W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 45W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVMFD5C672NLT1G за ціною від 74.57 грн до 226.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Виробник : ONSEMI 2571967.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.25 грн
10+116.08 грн
100+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Виробник : onsemi nvmfd5c672nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.26 грн
10+141.74 грн
100+98.12 грн
500+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfd5c672nl-d.pdf NVMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Виробник : onsemi nvmfd5c672nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFD5C672NL_D-2319638.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.