Продукція > ONSEMI > NVMFD5C680NLT1G
NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G onsemi


nvmfd5c680nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+52.22 грн
3000+ 47.77 грн
7500+ 45.97 грн
10500+ 41.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C680NLT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD5C680NLT1G за ціною від 46.6 грн до 119.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Виробник : onsemi nvmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.49 грн
10+ 87.97 грн
100+ 70.04 грн
500+ 55.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Виробник : onsemi NVMFD5C680NL_D-2319494.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 629-638 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.95 грн
10+ 98.27 грн
100+ 68.1 грн
250+ 62.69 грн
500+ 57.21 грн
1000+ 49.07 грн
1500+ 46.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd5c680nl-d.pdf
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)