Продукція > ONSEMI > NVMFD5C680NLWFT1G
NVMFD5C680NLWFT1G

NVMFD5C680NLWFT1G onsemi

nvmfd5c680nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+49.28 грн
3000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C680NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD5C680NLWFT1G за ціною від 50.65 грн до 159.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NLWFT1G onsemi nvmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.33 грн
10+98.80 грн
100+67.39 грн
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NLWFT1G onsemi NVMFD5C680NL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G nvmfd5c680nl-d.pdf
NVMFD5C680NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.33 грн
10+98.80 грн
100+67.39 грн
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NL-D.PDF
NVMFD5C680NLWFT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.