Продукція > ONSEMI > NVMFD5C680NLWFT1G

NVMFD5C680NLWFT1G onsemi


nvmfd5c680nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+50.76 грн
3000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD5C680NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD5C680NLWFT1G за ціною від 43.63 грн до 174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NLWFT1G onsemi nvmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
10+101.78 грн
100+69.42 грн
500+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NLWFT1G onsemi NVMFD5C680NL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+107.80 грн
100+64.28 грн
500+51.10 грн
1000+44.97 грн
1500+43.98 грн
3000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G nvmfd5c680nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.14 грн
10+101.78 грн
100+69.42 грн
500+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1G NVMFD5C680NL-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+107.80 грн
100+64.28 грн
500+51.10 грн
1000+44.97 грн
1500+43.98 грн
3000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.