Продукція > ONSEMI > NVMFD6H840NLT1G
NVMFD6H840NLT1G

NVMFD6H840NLT1G onsemi

nvmfd6h840nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+86.93 грн
3000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD6H840NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 90W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NVMFD6H840NL Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 90W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції NVMFD6H840NLT1G за ціною від 88.30 грн до 262.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFD6H840NLT1G NVMFD6H840NLT1G onsemi nvmfd6h840nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.58 грн
10+165.15 грн
50+127.45 грн
100+108.22 грн
500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1G NVMFD6H840NLT1G onsemi nvmfd6h840nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1G NVMFD6H840NLT1G ONSEMI NVMFD6H840NL-D.PDF Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1G nvmfd6h840nl-d.pdf
NVMFD6H840NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.58 грн
10+165.15 грн
50+127.45 грн
100+108.22 грн
500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1G nvmfd6h840nl-d.pdf
NVMFD6H840NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1G NVMFD6H840NL-D.PDF
NVMFD6H840NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.