NVMFD6H840NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 78.44 грн |
| 3000+ | 74.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD6H840NLT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD6H840NLT1G за ціною від 84.00 грн до 245.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVMFD6H840NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFD6H840NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS |
на замовлення 6197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFD6H840NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |