| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.62 грн |
| 10+ | 190.48 грн |
| 100+ | 133.21 грн |
| 500+ | 109.25 грн |
| 1000+ | 90.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD6H840NLWFT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMFD6H840NLWFT1G за ціною від 84.03 грн до 236.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD6H840NLWFT1G | onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFNQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NVMFD6H840NLWFT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFD6H840NLWFT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.29 грн |
| 10+ | 148.59 грн |
| 100+ | 103.51 грн |
| 500+ | 84.03 грн |
| NVMFD6H840NLWFT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)