Продукція > ONSEMI > NVMFD6H846NLT1G
NVMFD6H846NLT1G

NVMFD6H846NLT1G onsemi

nvmfd6h846nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.44 грн
3000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD6H846NLT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD6H846NLT1G за ціною від 59.74 грн до 203.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD6H846NLT1G NVMFD6H846NLT1G Виробник : onsemi NVMFD6H846NL_D-1888924.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.26 грн
10+120.69 грн
100+75.59 грн
500+61.80 грн
1000+61.21 грн
1500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1G NVMFD6H846NLT1G Виробник : onsemi nvmfd6h846nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.24 грн
10+126.68 грн
100+87.16 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd6h846nl-d.pdf
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfd6h846nl-d.pdf NVMFD6H846NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.