NVMFD6H846NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 64.36 грн |
| 3000+ | 59.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFD6H846NLT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFD6H846NLT1G за ціною від 57.09 грн до 202.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFD6H846NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVMFD6H846NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVMFD6H846NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFD6H846NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.62 грн |
| 10+ | 107.80 грн |
| 100+ | 71.19 грн |
| 500+ | 61.25 грн |
| 1000+ | 59.98 грн |
| 1500+ | 57.09 грн |
| NVMFD6H846NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.99 грн |
| 10+ | 126.52 грн |
| 100+ | 87.05 грн |
| 500+ | 65.85 грн |
| NVMFD6H846NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


