Продукція > ONSEMI > NVMFD6H852NLT1G
NVMFD6H852NLT1G

NVMFD6H852NLT1G onsemi

nvmfd6h852nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.46 грн
10+80.91 грн
50+60.84 грн
100+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD6H852NLT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Power - Max: 3.2W (Ta), 38W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V.

Інші пропозиції NVMFD6H852NLT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ON Semiconductor NVMFD6H852NL-D-1627148.pdf MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G onsemi NVMFD6H852NL_D-2319407.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ONSEMI 2850048.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0255ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ONSEMI 2850048.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0255ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NL-D-1627148.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NL_D-2319407.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G 2850048.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0255ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G 2850048.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.0255 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0255ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.