Продукція > ONSEMI > NVMFD6H852NLT1G
NVMFD6H852NLT1G

NVMFD6H852NLT1G ONSEMI

nvmfd6h852nl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.14 грн
500+33.87 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD6H852NLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFD6H852NLT1G за ціною від 30.63 грн до 127.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : onsemi NVMFD6H852NL_D-2319407.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.47 грн
10+69.97 грн
100+49.39 грн
500+42.49 грн
1000+40.95 грн
1500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.21 грн
12+71.54 грн
100+50.14 грн
500+33.87 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : onsemi nvmfd6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.82 грн
10+78.05 грн
100+52.31 грн
500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFD6H852NL-D-1627148.pdf MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd6h852nl-d.pdf
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd6h852nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf NVMFD6H852NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G Виробник : onsemi nvmfd6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.