Продукція > ONSEMI > NVMFS016N06CT1G
NVMFS016N06CT1G

NVMFS016N06CT1G onsemi

nvmfs016n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.90 грн
3000+36.52 грн
4500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS016N06CT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS016N06CT1G за ціною від 34.64 грн до 116.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS016N06CT1G NVMFS016N06CT1G Виробник : onsemi nvmfs016n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.20 грн
10+79.71 грн
100+58.55 грн
500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1G NVMFS016N06CT1G Виробник : onsemi nvmfs016n06c-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6 mohm SO8FL(Pb-Free)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.21 грн
10+87.65 грн
100+55.01 грн
500+43.69 грн
1000+38.86 грн
1500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs016n06c-d.pdf
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs016n06c-d.pdf N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1G Виробник : ONSEMI nvmfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1G Виробник : ONSEMI nvmfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.