Продукція > ONSEMI > NVMFS021N10MCLT1G
NVMFS021N10MCLT1G

NVMFS021N10MCLT1G onsemi

nvmfs021n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.60 грн
10+58.92 грн
100+38.90 грн
500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS021N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS021N10MCLT1G за ціною від 21.31 грн до 98.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS021N10MCLT1G NVMFS021N10MCLT1G Виробник : onsemi NVMFS021N10MCL_D-3006658.pdf MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.19 грн
10+61.74 грн
100+35.94 грн
500+28.13 грн
1500+23.73 грн
3000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs021n10mcl-d.pdf NVMFS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1G NVMFS021N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs021n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.