Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVMFS025P04M8LT1G
NVMFS025P04M8LT1G

NVMFS025P04M8LT1G ON Semiconductor

nvmfs025p04m8l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
822+36.86 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS025P04M8LT1G ON Semiconductor

Description: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NVMFS025P04M8LT1G за ціною від 20.51 грн до 85.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS025P04M8LT1G NVMFS025P04M8LT1G Виробник : onsemi NVMFS025P04M8L-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 23 mohm, -34.6 A
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.25 грн
10+62.30 грн
100+36.42 грн
500+28.46 грн
1000+28.00 грн
1500+20.89 грн
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs025p04m8l-d.pdf Description: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.32 грн
10+62.65 грн
100+43.40 грн
500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs025p04m8l-d.pdf Power MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G NVMFS025P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs025p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G Виробник : ONSEMI nvmfs025p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.6A; Idm: -204A; 22.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -34.6A
Pulsed drain current: -204A
Power dissipation: 22.1W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs025p04m8l-d.pdf Description: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1G Виробник : ONSEMI nvmfs025p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.6A; Idm: -204A; 22.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -34.6A
Pulsed drain current: -204A
Power dissipation: 22.1W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.