Продукція > ONSEMI > NVMFS040N10MCLT1G
NVMFS040N10MCLT1G

NVMFS040N10MCLT1G ONSEMI

nvmfs040n10mcl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.51 грн
500+24.62 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS040N10MCLT1G ONSEMI

Description: PTNG 100V LL SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS040N10MCLT1G за ціною від 16.51 грн до 72.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+41.66 грн
100+28.45 грн
500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.18 грн
10+48.78 грн
100+28.92 грн
500+24.22 грн
1000+20.62 грн
1500+18.64 грн
3000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.45 грн
17+51.04 грн
100+33.51 грн
500+24.62 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs040n10mcl-d.pdf NVMFS040N10MCLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs040n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs040n10mcl-d.pdf NVMFS040N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.