Продукція > ONSEMI > NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS2D3P04M8LT1G

NVMFS2D3P04M8LT1G onsemi

nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.82 грн
10+ 176.92 грн
100+ 143.13 грн
500+ 119.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS2D3P04M8LT1G onsemi

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS2D3P04M8LT1G за ціною від 103.48 грн до 233.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS2D3P04M8LT1G Виробник : onsemi NVMFS2D3P04M8L_D-2497359.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.66 грн
10+ 193.47 грн
25+ 158.89 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
1000+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395 		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Power MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1G NVMFS2D3P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній