Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVMFS3D0P04M8LT1G
NVMFS3D0P04M8LT1G

NVMFS3D0P04M8LT1G ON Semiconductor

nvmfs3d0p04m8l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS3D0P04M8LT1G ON Semiconductor

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS3D0P04M8LT1G за ціною від 96.14 грн до 264.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G Виробник : onsemi NVMFS3D0P04M8L_D-2497347.pdf MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.61 грн
10+202.56 грн
100+142.38 грн
500+116.69 грн
1500+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs3d0p04m8l-d.pdf Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.37 грн
10+168.49 грн
100+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d0p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1G Виробник : ONSEMI nvmfs3d0p04m8l-d.pdf NVMFS3D0P04M8LT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs3d0p04m8l-d.pdf Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.