Продукція > ONSEMI > NVMFS3D6N10MCLT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G

NVMFS3D6N10MCLT1G onsemi

nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+114.54 грн
3000+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS3D6N10MCLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 139W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVMFS3D6N10MCLT1G за ціною від 111.14 грн до 275.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0010296270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+168.83 грн
500+ 111.77 грн
1500+ 111.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.31 грн
10+ 179.14 грн
100+ 144.92 грн
500+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi NVMFS3D6N10MCL_D-2319758.pdf MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.04 грн
10+ 194.03 грн
25+ 163.41 грн
100+ 136.84 грн
250+ 132.19 грн
500+ 120.89 грн
1000+ 111.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0010296270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+275.71 грн
10+ 222.06 грн
25+ 201.94 грн
100+ 168.83 грн
500+ 111.77 грн
1500+ 111.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443 		nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній