Продукція > ONSEMI > NVMFS3D6N10MCLT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G

NVMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI

nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 139W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVMFS3D6N10MCLT1G за ціною від 111.15 грн до 298.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi NVMFS3D6N10MCL_D-2319758.pdf MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.43 грн
10+199.76 грн
100+126.47 грн
500+111.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.86 грн
10+203.72 грн
100+143.96 грн
500+111.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.27 грн
10+204.26 грн
100+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443
Додати до обраних Обраний товар

nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.