Продукція > ONSEMI > NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G onsemi

Name: NVMFS4C01NT1G
Brand: onsemi
SKU: 12270475-3
Price: 273675.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 217500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1500+	182.45 грн
3000+	165.43 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMFS4C01NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFS4C01NT1G за ціною від 145.90 грн до 392.24 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NVMFS4C01NT1G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	214.62 грн
500+	164.17 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

на замовлення 217500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.85 грн
10+	285.34 грн
100+	230.83 грн
500+	192.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

onsemi

MOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	385.66 грн
10+	255.32 грн
25+	221.32 грн
100+	165.63 грн
250+	164.93 грн
500+	155.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.24 грн
10+	273.00 грн
100+	214.62 грн
500+	164.17 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	214.62 грн
500+	164.17 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

на замовлення 217500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	352.85 грн
10+	285.34 грн
100+	230.83 грн
500+	192.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	385.66 грн
10+	255.32 грн
25+	221.32 грн
100+	165.63 грн
250+	164.93 грн
500+	155.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NVMFS4C01NT1G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	392.24 грн
10+	273.00 грн
100+	214.62 грн
500+	164.17 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.