
NVMFS4C03NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.97 грн |
10+ | 133.56 грн |
100+ | 92.11 грн |
500+ | 69.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS4C03NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS4C03NT1G за ціною від 55.64 грн до 222.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFS4C03NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NVMFS4C03NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NVMFS4C03NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NVMFS4C03NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C03NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |