Продукція > ONSEMI > NVMFS4C03NT1G
NVMFS4C03NT1G

NVMFS4C03NT1G onsemi

nvmfs4c03n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS4C03NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS4C03NT1G за ціною від 62.33 грн до 228.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G Виробник : ONSEMI 2907473.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.58 грн
500+70.19 грн
1000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G Виробник : onsemi nvmfs4c03n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.99 грн
10+126.16 грн
100+86.98 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G Виробник : ONSEMI 2907473.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.09 грн
10+146.45 грн
100+101.58 грн
500+70.19 грн
1000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G Виробник : onsemi nvmfs4c03n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.90 грн
10+147.53 грн
100+89.80 грн
500+72.44 грн
1500+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G Виробник : ON-Semicoductor nvmfs4c03n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs4c03n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs4c03n-d.pdf NVMFS4C03NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.