Продукція > ONSEMI > NVMFS4C03NT1G
NVMFS4C03NT1G

NVMFS4C03NT1G onsemi

nvmfs4c03n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS4C03NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS4C03NT1G за ціною від 60.19 грн до 220.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G onsemi nvmfs4c03n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.97 грн
10+119.21 грн
100+82.19 грн
500+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G onsemi nvmfs4c03n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+220.98 грн
10+131.20 грн
100+89.22 грн
500+74.60 грн
1000+66.70 грн
1500+60.77 грн
3000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G ONSEMI nvmfs4c03n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G ONSEMI nvmfs4c03n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G ON-Semiconductor nvmfs4c03n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G nvmfs4c03n-d.pdf
NVMFS4C03NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.97 грн
10+119.21 грн
100+82.19 грн
500+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G nvmfs4c03n-d.pdf
NVMFS4C03NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.98 грн
10+131.20 грн
100+89.22 грн
500+74.60 грн
1000+66.70 грн
1500+60.77 грн
3000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G nvmfs4c03n-d.pdf
NVMFS4C03NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G nvmfs4c03n-d.pdf
NVMFS4C03NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1G nvmfs4c03n-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.