
NVMFS4C05NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 62.21 грн |
3000+ | 57.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS4C05NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS4C05NT1G за ціною від 51.49 грн до 198.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
NVMFS4C05NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |