Продукція > ONSEMI > NVMFS4C05NWFT1G
NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G onsemi


NVMFS4C05N-D.PDF Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.11 грн
10+107.35 грн
100+65.73 грн
500+57.08 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS4C05NWFT1G onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 127A, Pulsed drain current: 174A, Power dissipation: 79W, Case: DFNW5, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції NVMFS4C05NWFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS4C05NWFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS4C05N-D.PDF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1G NVMFS4C05NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS4C05N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1G NVMFS4C05NWFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS4C05N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS4C05N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 79W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.