Продукція > ONSEMI > NVMFS5113PLT1G
NVMFS5113PLT1G

NVMFS5113PLT1G onsemi

nvmfs5113pl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+77.01 грн
3000+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5113PLT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5113PLT1G за ціною від 83.68 грн до 249.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G ONSEMI nvmfs5113pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -45A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.72 грн
10+143.44 грн
100+101.98 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G onsemi nvmfs5113pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.52 грн
10+156.78 грн
100+109.41 грн
500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G ON Semiconductor NVMFS5113PL_D-1814479.pdf MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PLT1G onsemi NVMFS5113PL_D-2319467.pdf MOSFETs SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 12025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G ONN nvmfs5113pl-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G nvmfs5113pl-d.pdf
NVMFS5113PLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -45A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.72 грн
10+143.44 грн
100+101.98 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G nvmfs5113pl-d.pdf
NVMFS5113PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.52 грн
10+156.78 грн
100+109.41 грн
500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PL_D-1814479.pdf
NVMFS5113PLT1G
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G NVMFS5113PL_D-2319467.pdf
NVMFS5113PLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 12025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1G nvmfs5113pl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.