Продукція > ONSEMI > NVMFS5113PLWFT1G
NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G onsemi

nvmfs5113pl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5113PLWFT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5113PLWFT1G за ціною від 88.07 грн до 269.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5113PLWFT1G NVMFS5113PLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs5113pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.98 грн
10+164.98 грн
100+115.54 грн
500+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1G NVMFS5113PLWFT1G Виробник : onsemi NVMFS5113PL_D-2319467.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.71 грн
10+189.05 грн
100+115.22 грн
500+93.94 грн
1500+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1G NVMFS5113PLWFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS5113PL_D-1814479.pdf MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1G NVMFS5113PLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5113pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5113pl-d.pdf NVMFS5113PLWFT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.