
NVMFS5832NLWFT3G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 43.15 грн |
10000+ | 39.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5832NLWFT3G onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS5832NLWFT3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFS5832NLWFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NVMFS5832NLWFT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NVMFS5832NLWFT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |