Продукція > ONSEMI > NVMFS5C406NLT1G
NVMFS5C406NLT1G

NVMFS5C406NLT1G onsemi

nvmfs5c406nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+431.10 грн
10+277.99 грн
100+200.04 грн
500+172.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C406NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C406NLT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C406NLT1G NVMFS5C406NLT1G onsemi nvmfs5c406nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G NVMFS5C406NLT1G onsemi nvmfs5c406nl-d.pdf MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G ONSEMI nvmfs5c406nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 362A; Idm: 900A; 90W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 362A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G NVMFS5C406NLT1G ON Semiconductor nvmfs5c406nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G nvmfs5c406nl-d.pdf
NVMFS5C406NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G nvmfs5c406nl-d.pdf
NVMFS5C406NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G nvmfs5c406nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 362A; Idm: 900A; 90W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 362A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1G nvmfs5c406nl-d.pdf
NVMFS5C406NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.