Продукція > ONSEMI > NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS5C410NLAFT1G

NVMFS5C410NLAFT1G onsemi

nvmfs5c410nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C410NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C410NLAFT1G за ціною від 125.24 грн до 381.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C410NLAFT1G NVMFS5C410NLAFT1G Виробник : onsemi F5312130D81C216CD6FD4364BD21A1F801EFC00FE1FA1F86E363D190B86415DA.pdf MOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.91 грн
10+245.90 грн
100+155.03 грн
500+147.39 грн
1000+138.99 грн
1500+125.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1G NVMFS5C410NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c410nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.65 грн
10+243.58 грн
100+173.58 грн
500+134.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1G NVMFS5C410NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c410nl-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c410nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.