Продукція > ONSEMI > NVMFS5C420NT1G
NVMFS5C420NT1G

NVMFS5C420NT1G ONSEMI

nvmfs5c420n-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.20 грн
500+100.91 грн
1000+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C420NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 268A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFS5C420NT1G за ціною від 83.27 грн до 274.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c420n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.06 грн
10+131.73 грн
100+120.20 грн
500+100.91 грн
1000+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G Виробник : onsemi NVMFS5C420N_D-2037523.pdf MOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.85 грн
10+190.74 грн
25+162.93 грн
100+121.10 грн
500+105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c420n-d.pdf NVMFS5C420NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G Виробник : onsemi nvmfs5c420n-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G Виробник : onsemi nvmfs5c420n-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.