NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 183.02 грн |
| 10+ | 124.46 грн |
| 100+ | 95.17 грн |
| 500+ | 74.93 грн |
| 1000+ | 63.59 грн |
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Технічний опис NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVMFS5C423NLWFET1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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NVMFS5C423NLWFET1G | Виробник : onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL |
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