NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.
Інші пропозиції NVMFS5C423NLWFET1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS5C423NLWFET1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5C423NLWFET1G |
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.


