Продукція > ONSEMI > NVMFS5C423NLWFET1G

NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI


4643411.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C423NLWFET1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Інші пропозиції NVMFS5C423NLWFET1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C423NLWFET1G NVMFS5C423NLWFET1G onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFET1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.