Продукція > ONSEMI > NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G onsemi

nvmfs5c426n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C426NAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFS5C426NAFT1G за ціною від 110.66 грн до 342.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G onsemi NVMFS5C426N_D-2319640.pdf MOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
2+250.80 грн
10+207.50 грн
25+170.57 грн
100+145.19 грн
250+137.44 грн
500+129.69 грн
1000+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.72 грн
10+204.94 грн
100+144.89 грн
500+111.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.90 грн
10+227.78 грн
100+161.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G 2907475.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+161.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426N_D-2319640.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: onsemi
MOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.80 грн
10+207.50 грн
25+170.57 грн
100+145.19 грн
250+137.44 грн
500+129.69 грн
1000+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G nvmfs5c426n-d.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+322.72 грн
10+204.94 грн
100+144.89 грн
500+111.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G 2907475.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+342.90 грн
10+227.78 грн
100+161.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.