Продукція > ONSEMI > NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI

nvmfs5c426n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.66 грн
10+183.66 грн
100+135.02 грн
250+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C426NAFT1G за ціною від 110.62 грн до 319.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
10+202.58 грн
100+143.23 грн
500+110.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G onsemi NVMFS5C426N_D-2319640.pdf MOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G nvmfs5c426n-d.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G nvmfs5c426n-d.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.01 грн
10+202.58 грн
100+143.23 грн
500+110.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426N_D-2319640.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: onsemi
MOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G 2907475.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G 2907475.pdf
NVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.