Продукція > ONSEMI > NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI

nvmfs5c426n-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C426NAFT1G за ціною від 112.04 грн до 323.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C426N_D-2319640.pdf MOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.15 грн
10+216.06 грн
25+177.61 грн
100+151.19 грн
250+143.11 грн
500+135.04 грн
1000+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.11 грн
10+205.19 грн
100+145.07 грн
500+112.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c426n-d.pdf NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.