Продукція > ONSEMI > NVMFS5C430NLAFT1G
NVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G ONSEMI

2907476.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.11 грн
500+103.91 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C430NLAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C430NLAFT1G за ціною від 76.12 грн до 274.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.34 грн
10+155.46 грн
100+108.33 грн
500+87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430nl-d.pdf MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.55 грн
10+171.19 грн
100+103.59 грн
500+89.77 грн
1000+82.10 грн
1500+76.58 грн
3000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907476.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.58 грн
10+186.78 грн
100+129.11 грн
500+103.91 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c430nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.