Продукція > ONSEMI > NVMFS5C430NLAFT1G
NVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G onsemi

nvmfs5c430nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C430NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C430NLAFT1G за ціною від 78.72 грн до 253.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907476.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C430NL_D-2319498.pdf MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.30 грн
10+150.59 грн
100+94.17 грн
500+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907476.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.43 грн
10+169.18 грн
100+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.86 грн
10+159.63 грн
100+111.21 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c430nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS5C430NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS5C430NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.