NVMFS5C430NLWFAFT1G ON Semiconductor
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 179+ | 69.24 грн |
| 203+ | 61.06 грн |
| 250+ | 60.74 грн |
| 500+ | 57.06 грн |
| 1500+ | 51.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C430NLWFAFT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS5C430NLWFAFT1G за ціною від 52.51 грн до 166.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVMFS5C430NLWFAFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |