Продукція > ONSEMI > NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G

NVMFS5C430NWFAFT1G onsemi

NVMFS5C430N_D-2319641.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+151.44 грн
100+95.64 грн
500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C430NWFAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C430NWFAFT1G за ціною від 86.50 грн до 238.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C430NWFAFT1G NVMFS5C430NWFAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.74 грн
10+154.11 грн
100+110.00 грн
500+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1G NVMFS5C430NWFAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c430n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1G NVMFS5C430NWFAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c430n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c430n-d.pdf NVMFS5C430NWFAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1G NVMFS5C430NWFAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.