Продукція > ONSEMI > NVMFS5C442NLAFT1G

NVMFS5C442NLAFT1G onsemi


nvmfs5c442nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+97.17 грн
100+77.35 грн
500+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C442NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFS5C442NLAFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G ON Semiconductor NVMFS5C442N-D-1022940.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G onsemi NVMFS5C442NL_D-2319665.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI 2907477.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI 2907477.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G ONN nvmfs5c442nl-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442N-D-1022940.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NL_D-2319665.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G 2907477.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G 2907477.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G nvmfs5c442nl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.