Продукція > ONSEMI > NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G

NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI

2907477.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.37 грн
500+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C442NLAFT1G за ціною від 56.65 грн до 152.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c442nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.74 грн
10+100.47 грн
100+79.97 грн
500+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C442NL_D-2319665.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
10+112.52 грн
100+81.66 грн
250+77.98 грн
500+67.68 грн
1000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907477.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.68 грн
10+114.71 грн
100+81.37 грн
500+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS5C442N-D-1022940.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c442nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c442nl-d.pdf NVMFS5C442NLAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c442nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.