NVMFS5C442NLAFT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.62 грн |
| 10+ | 97.17 грн |
| 100+ | 77.35 грн |
| 500+ | 61.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C442NLAFT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMFS5C442NLAFT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS5C442NLAFT1G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 40V S08FL |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NVMFS5C442NLAFT1G | onsemi |
MOSFET T6 40V S08FL |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 852-861 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NVMFS5C442NLAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NVMFS5C442NLAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5C442NLAFT1G | ONN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 40V S08FL
MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET T6 40V S08FL
MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
| NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C442NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



