Продукція > ONSEMI > NVMFS5C456NT1G
NVMFS5C456NT1G

NVMFS5C456NT1G onsemi

nvmfs5c456n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+49.88 грн
3000+45.22 грн
7500+43.06 грн
10500+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C456NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVMFS5C456NT1G за ціною від 35.37 грн до 114.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G Виробник : ONSEMI 2620036.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.79 грн
500+43.45 грн
1000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G Виробник : onsemi NVMFS5C456N_D-2319499.pdf MOSFETs 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+84.18 грн
100+64.59 грн
500+57.24 грн
1000+56.72 грн
1500+46.57 грн
3000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G Виробник : onsemi nvmfs5c456n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.80 грн
10+89.43 грн
100+69.57 грн
500+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G Виробник : ONSEMI 2620036.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.71 грн
10+85.83 грн
100+63.79 грн
500+43.45 грн
1000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c456n-d.pdf
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G NVMFS5C456NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c456n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C456NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c456n-d.pdf NVMFS5C456NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.