NVMFS5C456NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 49.59 грн |
| 3000+ | 44.95 грн |
| 7500+ | 42.81 грн |
| 10500+ | 38.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C456NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVMFS5C456NT1G за ціною від 38.19 грн до 140.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C456NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS5C456NT1G | onsemi |
MOSFETs 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFS5C456NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFS5C456NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFS5C456NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5C456NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.21 грн |
| 500+ | 44.19 грн |
| 1000+ | 38.19 грн |
| NVMFS5C456NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
MOSFETs 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.89 грн |
| 10+ | 80.47 грн |
| 100+ | 61.75 грн |
| 500+ | 54.71 грн |
| 1000+ | 54.22 грн |
| 1500+ | 44.52 грн |
| 3000+ | 39.87 грн |
| NVMFS5C456NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.14 грн |
| 10+ | 88.91 грн |
| 100+ | 69.16 грн |
| 500+ | 55.01 грн |
| NVMFS5C456NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS5C456NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 140.30 грн |
| 10+ | 90.25 грн |
| 100+ | 66.21 грн |
| 500+ | 44.19 грн |
| 1000+ | 38.19 грн |
| NVMFS5C456NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)