NVMFS5C460NLAFT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 69.76 грн |
| 25+ | 68.67 грн |
| 100+ | 65.16 грн |
| 250+ | 59.36 грн |
| 500+ | 56.05 грн |
| 1000+ | 55.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C460NLAFT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS5C460NLAFT1G за ціною від 43.30 грн до 178.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0045 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0045 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NVMFS5C460NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 396A; 25W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 78A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 25W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


