Продукція > ONSEMI > NVMFS5C460NLAFT1G
NVMFS5C460NLAFT1G

NVMFS5C460NLAFT1G ONSEMI

2907323.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.36 грн
500+57.15 грн
1500+51.70 грн
3000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C460NLAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C460NLAFT1G за ціною від 46.08 грн до 141.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.11 грн
10+87.38 грн
100+69.55 грн
500+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.68 грн
10+82.45 грн
25+71.04 грн
100+59.29 грн
250+59.14 грн
500+52.47 грн
1000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907323.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.64 грн
10+115.59 грн
100+90.36 грн
500+57.15 грн
1500+51.70 грн
3000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c460nl-d.pdf NVMFS5C460NLAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.